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我院陈国祥副教授研究成果在《Physical Review B》上发表
发布时间: 2017-01-04 16:20:53   作者:理学院   浏览次数:  

 我院陈国祥副教授与美国佛罗里达大学Hai-Ping Cheng教授课题组合作,在二维半导体异质结领域取得重要进展,相关研究成果发表在2017年1月3日的国际知名物理学刊物《Physical Review B》上,题名为: “Two-dimensional lateral GaN/SiC heterostructures: First-principles studies of electronic and magnetic properties”URL: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.95.045302DOI: 10.1103/PhysRevB.95.045302

  陈国祥副教授与合作者对二维异质结GaN/SiC的电子、磁学特性以及对电场的响应进行了系统的研究。他们提出了以第三代半导体材料GaN和SiC结合构建新型二维异质结构,在这些结构中发现了准一维的传导性质以及有限非零磁矩,且磁学特性能被外部电场调谐,其性能远优于二维单体GaN和SiC半导体材料。该成果不仅为构筑基于二维材料的新型异质结材料提供了新思路,而且对于在电子学和自旋电子学的应用具有十分重要的意义。

上述研究结果得到国家自然科学基金、陕西省青年科技新星项目及西安石油大学青年科研创新团队的支持。

 《Physical Review B》简介:

 《Physical Review B》是APS旗下重要期刊之一,是凝聚态物理学领域的国际顶级杂志。美国物理学会The American Physical Society (APS)成立于1899 年,是世界上最具声望的物理学专业学会之一。APS 出版的物理评论系列期刊:Physical Review、 Physical Review Letters、Reviews of Modern Physics,分别是各专业领域最受尊重、被引用次数最多的科技期刊之一,在全球物理学界及相关学科领域的研究者中具有极高的声望。



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