一、基本信息

郝敏如，女，副教授、工学博士、硕士生导师。

从事学科：电子科学与技术  

电子邮箱：haominru@163.com

个人经历

    分别于2014年、2018 年在西安电子科技大学取得硕士、博士学位。

研究方向和招生专业

研究方向：

主要从事高速纳米电子器件及集成电路可靠性、电子元器件功能材料、以及铁电材料存储器等研究。

招生专业：

光学工程（学硕）、光电信息工程（专硕）。

四、指导研究生

目前指导在校硕士生7名。

五、主讲课程

信息光学、大学物理实验（本科课程）。

六、社会兼职

陕西省物理学会 (会员编号: 20241050)，CSCIED科技核心评价数据库青年评委，《IETE Journal of Research》及《Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics》期刊审稿人。

七、科研成果

科研项目（限10项）

国家自然科学基金青年基金，12105220，基于总剂量辐照纳米应变硅PMOS器件退化与失效机理研究，2022/01-2024/12，结题，主持；

陕西省教育厅自然科学专项，21JK0849，应变硅纳米NMOS器件单粒子效应及加固技术研究，2021/01-2022/12，结题，主持。

代表性论文（限10项）

Minru Hao,  Yuchen Wang, Jiajun Li, et al. Study on the reinforcement structure of strained silicon MOS under single event effect and its application in inverter chains, Radiation Effects And Defects In Solids, 2025, (SCI检索)

2. Minru Hao, Danting Chen, Yuchen Wang, e al. Novel Layout Technique for Single-Event Transient Mitigation Via Groove Structure [J]. Radiation Effects And Defects In Solids, 2024 (SCI检索）

3. Minru Hao, Min Shao, Yan Zhang, e al. Study on Amplitude of the Noise Power Spectrum for Nano Strained Si NMOSFET [J]. Radiation Effects And Defects In Solids, 2022, 177(3-4): 258-266. (SCI检索)

4. Minru Hao, Yan Zhang, Min Shao, et al. Effects of total dose radiation on Single event effect of the uniaxial strained Si Nano NMOSFET [J]. IETE Journal of Research. 2021, DOI: 10.1080/03772063.2020.1871420 (SCI检索)

5. Minru Hao, Chenguang Liao, Qian Zhang, et al. Study on the charge collection mechanism of Single event transient effect for N-channel metal oxide field effect transistor [J]. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2020, 15(5): 637-644. (SCI检索)

6. Minru Hao, Haiwei Fu, Yan Zhang, et al. Influence of Gamma-ray Radiation on Two-dimensional Sub-threshold Current of Strained Si Nano NMOSFET [J]. Radiation Effects And Defects In Solids，2019, 174(9-10): 928-937. (SCI检索)

7. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Influence of γ-ray total dose radiation effect on the hot carrier gate current of the uniaxial strained Si nano-scale NMOSFET [J]. Microelectronics Reliability, 2017(75):69-76. (SCI检索)

8. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Study on the influence of γ-ray total dose radiation effect on the electrical properties of the uniaxial strained Si nanometer NMOSFET [J]. Solid-State Electronics, 2017(133):45-52. (SCI检索)

9. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Total ionizing dose radiation effect on the threshold voltage for the uniaxial strained Si nano NMOSFET [J]. IEICE Electronics Express, 2017,14(11):1-10. (SCI检索)

10. Minru Hao, Huiyong Hu, Chenguang Liao, et al. Effects of Gamma-ray radiation on channel current of the uniaxial strained Si Nano-Scale NMOSFET [J]. IEICE Electronics Express, 2017, 14(19):1-6. (SCI检索)

学术专著

郝敏如（独著）《应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术》，中国石化出版社， 2020

授权专利（限10项）

郝敏如，陈丹婷，邵敏，张艳，周旬，一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，中国，ZL 2025 1 0047982.8（2025年授权）；

郝敏如，张艳，邵敏，一种应变硅MOS电子器件及其制备方法，中国，ZL202110449010.3（2023年授权）；

郝敏如，曹忠尉，邵敏，一种智能垃圾分拣机器人，中国， ZL202111176955.9（2023年授权）。

科研/教学获奖

1. 全国光电信息类授课比赛二等奖，2020/08；

2. 西安石油大学青年教师教学竞赛三等奖，2022/09；

3. 指导学生参加第九届全国大学生光电设计大赛获国家级三等奖1项，2021/08。

4. 指导学生参加第十三届全国大学生光电设计大赛获省级二等奖2项，2025/08。